巨头们的阿喀琉斯之踵:ASML,和穿皮衣的“摇滚”黄仁勋(下)

2017年10月12日 02:05来源:网络整理手机版

半导体行业风云 | 巨头们的阿喀琉斯之踵:ASML,和穿皮衣的“摇滚”黄仁勋(下)

2017-10-11 21:11 来源:市值风云 年报 /股权 /三星

原标题:半导体行业风云 | 巨头们的阿喀琉斯之踵:ASML,和穿皮衣的“摇滚”黄仁勋(下)

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巨头们的阿喀琉斯之踵:ASML,和穿皮衣的“摇滚”黄仁勋(下)

作者 | 不会功夫的熊猫

编辑 | 汤包子

接上、中篇:

一、半导体设备领域真正的王者

从台积电的年报中设备供应商部分里,可以发现一家名为ASML Holding N.V.(简称”ASML“)的公司。ASML为一家总部在荷兰并在美国上市的公司,其主营业务为制造研发光刻机。

光刻机是芯片生产过程中重要的设备,同时也是决定制程尺寸的关键性设备。

巨头们的阿喀琉斯之踵:ASML,和穿皮衣的“摇滚”黄仁勋(下)

俗话说英雄惜英雄,行业巨头看得上并值得在年报里面特意点出来的供应商应该绝对不简单。这家ASML公司不仅出现在年报中大书特书,并且在2012年获得台积电支付2.76亿欧元作为ASML研发经费,好比说你的客户给你一笔大钱让你去做研发,然后你再把东西造出来卖给客户,你说这么好的事情凭什么?

当然是凭实力和地位啦。ASML公司目前是市场上唯一能够生产性能稳定高精度光刻机的公司,晶圆制造商如台积电,三星,英特尔,中芯国际等均为其客户。摩尔定律所推动的晶体管尺寸越来越小,要求晶圆制造制程尺寸缩小,对于光刻技术要求异常严苛。

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EUV光刻机(图片来自网络)

二、依靠技术优势甩开日本竞争对手

光刻机行业原本有三家巨头,ASML,尼康和佳能。在193纳米光刻技术逐渐成为市场主流后,ASML凭借193纳米技术优势在市场份额方面开始逐渐领先日本同行。

随着10纳米制程已经被三星和台积电量产采用,下一个制程目标7纳米将面临巨大的物理限制,光刻技术需要更先进的设备,极紫外EUV被寄予厚望作为制程突破7纳米的最后希望。

三、被三巨头钦点研发EUV极紫外光

2012年7月,为了加快下一代EUV光刻技术和450mm晶圆技术研发,ASML宣布开展客户共同投资计划,邀请其最大的客户参与投资和研发。

随即,三巨头英特尔,台积电,三星均宣布参与此计划并分别按照39.91欧元认购ASML已发行股份15%,5%和3%,分别投资25.13亿欧元,8.38亿欧元和5.03亿欧元,共38.54欧元。

放眼全球范围,邀请客户参与巨额定增给自己研发费用,研发成功后的产品再卖给客户赚钱,牛逼到吊炸天地步的可能仅有ASML了。ASML被全球半导体巨头钦点,攻克EUV难题进而突破约束先进制程的物理障碍。

其实,作为客户的三巨头也没有任何选择,在7纳米制程面前,全球其它的公司不争气属于”烂泥扶不上墙”,具备这个执行能力的就只剩下ASML一家公司。

精明的三巨头认购定增,其实他们心里非常清楚假如EUV被成功攻克了,三巨头本身和行业其它公司会给予ASML巨量且源源不绝的EUV订单,ASML的业绩肯定是具备确定性的,股价应该也能上涨,这种情况下这个巨额定增反而能赚不少钱。

假如失败了,这个世界上也没有人能做出来EUV,那么摩尔定律就停滞不前,整个半导体行业会受到很大冲击。

从投资/投机的角度,就像面临末日般的危机时,不如拿出一些钱来改变一下危局,尝试扭转乾坤,赢了则可以突破危局,输了这个损失对比危机则没那么重要了,况且当时行业最大三巨头都入了局,输了大家相互有个心理安慰。

对比主流193纳米液浸式光刻,随着光波长变小,光的能量将会被聚光用的透镜所吸收,使得最终光无法到达晶圆就被吸收殆尽。在EUV光刻技术中,采用反射镜而非透镜进行缩影。

此处简单讲一下EUV光刻的原理。首先通过光源产生EUV光线(波长约13.5纳米),然后光进行汇聚并照射在已经具有电路设计图案的掩膜上,之后电路图案将经过多个曲面反射镜进行多次缩影,其原理类似凹面哈哈镜有缩小的效果,之后电路图将被缩小至所要求足够小的尺寸投影在晶圆上,在后续的工艺中进一步加工成电路。

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EUV工作原理图(图片来网络)

最终ASML不负众望,EUV光刻机终于取得突破。据传EUV光刻机售价不菲,每台售价约1亿欧元!其价格差不多相当于一架F-35战斗机的价格。

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ASML展示其7纳米工艺样图(来自ASML公司2017年第二季度业绩演示材料)

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2017年4月19日,ASML官方推特账号显示最新的EUV系统开始正式交付。

四、ASML与卡尔蔡司战略合作

ASML采用的曲面反射镜来自德国卡尔蔡司公司(Carl Zeiss AG)。

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